T-TD1R4N60P 11

T-TD1R4N60P 11 - IXYS

Número de pieza
T-TD1R4N60P 11
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
16832 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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T-TD1R4N60P 11 Descripción detallada

Número de pieza T-TD1R4N60P 11
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET -
Tecnología -
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) -
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) -
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje -
Paquete de dispositivo del proveedor -
Paquete / caja -
Peso -
País de origen -

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