MKE38RK600DFELB - IXYS

Numéro d'article	MKE38RK600DFELB
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 44A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS-SMPD™.B
Paquet / cas	9-SMD Module
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MKE38P600LB	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Détails
MKE38P600LB-TRR	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Détails
MKE38P600TLB	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
MKE38P600TLB-TRR	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
MKE38RK600DFELB	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Détails
MKE38RK600DFELB-TRR	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Détails