MKE38RK600DFELB - IXYS

Artikelnummer	MKE38RK600DFELB
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6800pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 44A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS-SMPD™.B
Paket / Fall	9-SMD Module
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MKE38P600LB	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Einzelheiten
MKE38P600LB-TRR	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Einzelheiten
MKE38P600TLB	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
MKE38P600TLB-TRR	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
MKE38RK600DFELB	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Einzelheiten
MKE38RK600DFELB-TRR	IXYS	MOSFET N-CH 600V 50A SMPD	Einzelheiten