IXTT2N170D2

IXTT2N170D2 - IXYS

Numéro d'article
IXTT2N170D2
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1052 pcs
Prix ​​de référence
USD 20.98/pcs
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IXTT2N170D2 Description détaillée

Numéro d'article IXTT2N170D2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1A, 0V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

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