IXTQ110N10P - IXYS

Numéro d'article	IXTQ110N10P
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3550pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTQ100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P	Détails
IXTQ102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P	Détails
IXTQ102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A TO3P	Détails
IXTQ102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P	Détails
IXTQ10P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P	Détails
IXTQ110N055P	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P	Détails
IXTQ110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P	Détails
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IXTQ120N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P	Détails
IXTQ120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P	Détails