IXTQ110N055P - IXYS

Numéro d'article	IXTQ110N055P
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	76nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2210pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-3P
Paquet / cas	TO-3P-3, SC-65-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTQ100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P	Détails
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IXTQ110N055P	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P	Détails
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