IXFT60N65X2HV - IXYS

Numéro d'article	IXFT60N65X2HV
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	108nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6300pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	780W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-268HV
Paquet / cas	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFT60N25Q	IXYS	MOSFET N-CH 250V 60A TO-268	Détails
IXFT60N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 60A TO268	Détails
IXFT60N65X2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
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IXFT6N100F	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 6A TO268	Détails
IXFT6N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268	Détails