IXFT60N65X2HV - IXYS

Artikelnummer	IXFT60N65X2HV
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	108nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6300pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	780W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-268HV
Paket / Fall	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFT60N25Q	IXYS	MOSFET N-CH 250V 60A TO-268	Einzelheiten
IXFT60N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 60A TO268	Einzelheiten
IXFT60N65X2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFT69N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 69A TO-268	Einzelheiten
IXFT6N100F	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 6A TO268	Einzelheiten
IXFT6N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268	Einzelheiten