IXFT58N20Q TRL

IXFT58N20Q TRL - IXYS

Numéro d'article
IXFT58N20Q TRL
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH TO268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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3871 pcs
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IXFT58N20Q TRL Description détaillée

Numéro d'article IXFT58N20Q TRL
État de la pièce Last Time Buy
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268 (IXFT)
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

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