IXFT58N20Q TRL detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
IXFT58N20Q TRL |
| Teilstatus |
Last Time Buy |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
58A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 4mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
140nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3600pF @ 25V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
40 mOhm @ 29A, 10V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
TO-268 (IXFT) |
| Paket / Fall |
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IXFT58N20Q TRL
