IXFH66N20Q

IXFH66N20Q - IXYS

Numéro d'article
IXFH66N20Q
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2941 pcs
Prix ​​de référence
USD 9.178/pcs
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IXFH66N20Q Description détaillée

Numéro d'article IXFH66N20Q
État de la pièce Last Time Buy
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 33A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247AD (IXFH)
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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