IXFH102N15T - IXYS

Numéro d'article	IXFH102N15T
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	150V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	102A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5220pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247AD (IXFH)
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFH100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-247	Détails
IXFH100N30X3	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Détails
IXFH102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-247	Détails
IXFH10N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD	Détails
IXFH10N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD	Détails
IXFH10N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD	Détails
IXFH10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-247	Détails
IXFH10N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD	Détails
IXFH110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-247	Détails
IXFH110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-247	Détails