IXFH50N60X - IXYS

Numéro d'article	IXFH50N60X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	116nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4660pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	660W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	73 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFH100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-247	Détails
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IXFH110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-247	Détails