IXFH35N30Q

IXFH35N30Q - IXYS

Numéro d'article
IXFH35N30Q
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH TO-247AD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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3501 pcs
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IXFH35N30Q Description détaillée

Numéro d'article IXFH35N30Q
État de la pièce Last Time Buy
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 17.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247AD (IXFH)
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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