IXFC24N50Q

IXFC24N50Q - IXYS

Numéro d'article
IXFC24N50Q
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH ISOPLUS220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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IXFC24N50Q Description détaillée

Numéro d'article IXFC24N50Q
État de la pièce Last Time Buy
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230 mOhm @ 10.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ISOPLUS220™
Paquet / cas ISOPLUS220™
Poids -
Pays d'origine -

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