IXFC10N80P - IXYS

Numéro d'article	IXFC10N80P
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS220™
Paquet / cas	ISOPLUS220™
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFC10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220	Détails
IXFC110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220	Détails
IXFC12N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220	Détails
IXFC13N50	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220	Détails
IXFC14N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220	Détails
IXFC14N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220	Détails
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IXFC16N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220	Détails
IXFC16N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220	Détails
IXFC20N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220	Détails