FMP76-010T - IXYS

Numéro d'article	FMP76-010T
État de la pièce	Active
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	62A, 54A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	104nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5080pF @ 25V
Puissance - Max	89W, 132W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	i4-Pac™-5
Package de périphérique fournisseur	ISOPLUS i4-PAC™
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	FMP76-010T	IXYS	MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC	Détails
	FMP76-01T	IXYS	MOSFET N/P-CH	Détails