FMP76-010T - IXYS

Artikelnummer	FMP76-010T
Teilstatus	Active
FET Typ	N and P-Channel
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	62A, 54A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	104nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5080pF @ 25V
Leistung max	89W, 132W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	i4-Pac™-5
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS i4-PAC™
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	FMP76-010T	IXYS	MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC	Einzelheiten
	FMP76-01T	IXYS	MOSFET N/P-CH	Einzelheiten