SPB80N03S2L-05 - Infineon Technologies

Numéro d'article	SPB80N03S2L-05
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 110µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	89.7nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3320pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 55A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SPB800-BCP1	H&D Wireless AB	RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT	Détails
SPB80N03L	infineon	SPB80N03L infineon TO263 New Original Stocks	Détails
SPB80N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	Détails
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