| Numéro d'article | SPB80N03S203GATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7020pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 80A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO263-3-2 |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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SPB80N03L | infineon | SPB80N03L infineon TO263 New Original Stocks | Détails |
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SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Détails |
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SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Détails |
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SPB80N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Détails |
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SPB80N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Détails |
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SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Détails |
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SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Détails |
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SPB80N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Détails |
