PTAB182002TCV2R250XTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricant: Infineon Technologies
Brève description: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: PTAB182002TCV2R250XTMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
Catégorie: Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 3926 pcs
Prix de référence: USD 0/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

Numéro d'article	PTAB182002TCV2R250XTMA1
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain	14.8dB
Tension - Test	28V
Note actuelle	10µA
Figure de bruit	-
Actuel - Test	520mA
Puissance - Sortie	29W
Tension - Rated	65V
Paquet / cas	H-49248H-4
Package de périphérique fournisseur	H-49248H-4
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
PTAB182002FC-V1-R0	Cree/Wolfspeed	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	Détails
PTAB182002FC-V1-R250	Cree/Wolfspeed	IC AMP RF LDMOS	Détails
PTAB182002FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	Détails
PTAB182002FCV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Détails
PTAB182002TCV2R250XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4	Détails
PTAB182002TCV2R250XUMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	Détails
PTAB182002TCV2XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4	Détails