PTAB182002FCV1R0XTMA1

PTAB182002FCV1R0XTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
PTAB182002FCV1R0XTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
320 pcs
Prix ​​de référence
USD 84.6496/pcs
Notre prix
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PTAB182002FCV1R0XTMA1 Description détaillée

Numéro d'article PTAB182002FCV1R0XTMA1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.88GHz
Gain 15.5dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 520mA
Puissance - Sortie 29W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas H-37248-4
Package de périphérique fournisseur H-37248-4
Poids -
Pays d'origine -

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