IRLR024NPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article	IRLR024NPBF
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D-Pak
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IRLR014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Détails
IRLR014N	IR	IRLR014N IR TO-252 New Original Stocks	Détails
IRLR014NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTRR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Détails
IRLR014TR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Détails
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