IRLR014TRL - Vishay Siliconix

Numéro d'article	IRLR014TRL
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7.7A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 25V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 4.6A, 5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D-Pak
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IRLR014	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Détails
IRLR014N	IR	IRLR014N IR TO-252 New Original Stocks	Détails
IRLR014NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014NTRR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 10A DPAK	Détails
IRLR014PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Détails
IRLR014TR	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Détails
IRLR014TRL	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Détails