| Numéro d'article | IRL60SL216 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15330pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-262-3 |
| Paquet / cas | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IRL60B216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | Détails |
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IRL620SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Détails |
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IRL620STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | Détails |
