IRL60S216

IRL60S216 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRL60S216
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 60V 195A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2000 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.3333/pcs
Notre prix
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IRL60S216 Description détaillée

Numéro d'article IRL60S216
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15330pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D2PAK
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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