IRF6710S2TRPBF

IRF6710S2TRPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRF6710S2TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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IRF6710S2TRPBF Description détaillée

Numéro d'article IRF6710S2TRPBF
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 13V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DIRECTFET S1
Paquet / cas DirectFET™ Isometric S1
Poids -
Pays d'origine -

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