Numéro d'article | IRF6709S2TR1PBF |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 13V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | DIRECTFET S1 |
Paquet / cas | DirectFET™ Isometric S1 |
Poids | - |
Pays d'origine | - |