IPI100N10S305AKSA1

IPI100N10S305AKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPI100N10S305AKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12737 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.1026/pcs
Notre prix
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IPI100N10S305AKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPI100N10S305AKSA1
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 176nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11570pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO262-3
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids -
Pays d'origine -

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