IPI100N04S303AKSA1

IPI100N04S303AKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPI100N04S303AKSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPI100N04S303AKSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3761 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IPI100N04S303AKSA1

IPI100N04S303AKSA1 Description détaillée

Numéro d'article IPI100N04S303AKSA1
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO262-3
Paquet / cas TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IPI100N04S303AKSA1