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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPA50R190CEXKSA2
IPA50R190CEXKSA2

IPA50R190CEXKSA2 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPA50R190CEXKSA2
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPA50R190CEXKSA2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IPA50R190CEXKSA2.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25037 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.0588/pcs
Notre prix
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IPA50R190CEXKSA2 Description détaillée

Numéro d'article IPA50R190CEXKSA2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18.5A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 510µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 47.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1137pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 6.2A, 13V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur PG-TO220 Full Pack
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

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