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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPA50R190CEXKSA2
IPA50R190CEXKSA2

IPA50R190CEXKSA2 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPA50R190CEXKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPA50R190CEXKSA2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPA50R190CEXKSA2.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
24695 pcs
Referenzpreis
USD 1.0588/pcs
Unser Preis
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IPA50R190CEXKSA2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPA50R190CEXKSA2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 510µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 47.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1137pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 32W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 6.2A, 13V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Gewicht -
Ursprungsland -

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