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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › FZ400R65KE3NOSA1
FZ400R65KE3NOSA1

FZ400R65KE3NOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FZ400R65KE3NOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOD IGBT MED PWR A-IHV130-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FZ400R65KE3NOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
75 pcs
Prix ​​de référence
USD 2174.64/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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FZ400R65KE3NOSA1 Description détaillée

Numéro d'article FZ400R65KE3NOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 6500V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800A
Puissance - Max 8350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 400A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -50°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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