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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FZ400R65KE3NOSA1
FZ400R65KE3NOSA1

FZ400R65KE3NOSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FZ400R65KE3NOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOD IGBT MED PWR A-IHV130-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FZ400R65KE3NOSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
75 pcs
Referenzpreis
USD 2174.64/pcs
Unser Preis
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FZ400R65KE3NOSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FZ400R65KE3NOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 6500V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800A
Leistung max 8350W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 400A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -50°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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