FZ1800R17HE4B9HOSA2

FZ1800R17HE4B9HOSA2 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FZ1800R17HE4B9HOSA2
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MODULE IGBT IHMB190-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
FZ1800R17HE4B9HOSA2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
165 pcs
Prix ​​de référence
USD 983.54/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour FZ1800R17HE4B9HOSA2

FZ1800R17HE4B9HOSA2 Description détaillée

Numéro d'article FZ1800R17HE4B9HOSA2
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Single Switch
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1800A
Puissance - Max 11500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1800A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 145nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR FZ1800R17HE4B9HOSA2