FZ1800R12HE4B9HOSA2

FZ1800R12HE4B9HOSA2 - Infineon Technologies

Numéro d'article
FZ1800R12HE4B9HOSA2
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MODULE IGBT IHMB190-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
177 pcs
Prix ​​de référence
USD 926.65/pcs
Notre prix
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FZ1800R12HE4B9HOSA2 Description détaillée

Numéro d'article FZ1800R12HE4B9HOSA2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single Switch
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2735A
Puissance - Max 11000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 1800A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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