F4100R12KS4BOSA1

F4100R12KS4BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
F4100R12KS4BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT MODULE VCES 1200V 100A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1015 pcs
Prix ​​de référence
USD 162.069/pcs
Notre prix
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F4100R12KS4BOSA1 Description détaillée

Numéro d'article F4100R12KS4BOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 130A
Puissance - Max 660W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.8nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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