F4100R12KS4BOSA1

F4100R12KS4BOSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
F4100R12KS4BOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
IGBT MODULE VCES 1200V 100A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
F4100R12KS4BOSA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1015 pcs
Precio de referencia
USD 162.069/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para F4100R12KS4BOSA1

F4100R12KS4BOSA1 Descripción detallada

Número de pieza F4100R12KS4BOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Three Phase Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 130A
Potencia - Max 660W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 6.8nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA F4100R12KS4BOSA1