BSZ100N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSZ100N06NSATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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BSZ100N06NSATMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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78397 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3297/pcs
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BSZ100N06NSATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSZ100N06NSATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 14µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TSDSON-8-FL
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

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