BSZ100N06LS3 G

BSZ100N06LS3 G - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSZ100N06LS3 G
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
62500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3693/pcs
Notre prix
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BSZ100N06LS3 G Description détaillée

Numéro d'article BSZ100N06LS3 G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 23µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TSDSON-8
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids -
Pays d'origine -

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