BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSZ0910NDXTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
DIFFERENTIATED MOSFETS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSZ0910NDXTMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
302615 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.54409/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSZ0910NDXTMA1

BSZ0910NDXTMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSZ0910NDXTMA1
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V
Puissance - Max 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur PG-WISON-8
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSZ0910NDXTMA1