BSZ0901NSATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	BSZ0901NSATMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2850pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BSZ0901NS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V S308	Détails
BSZ0901NSATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V S308	Détails
BSZ0901NSI	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON	Détails
BSZ0901NSIATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON	Détails
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