BSO203PNTMA1

BSO203PNTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSO203PNTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
New
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3542 pcs
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BSO203PNTMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSO203PNTMA1
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 48.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2242pF @ 15V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur P-DSO-8
Poids -
Pays d'origine -

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