BSM75GAR120DN2HOSA1

BSM75GAR120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM75GAR120DN2HOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSM75GAR120DN2HOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2095 pcs
Prix ​​de référence
USD 78.533/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSM75GAR120DN2HOSA1

BSM75GAR120DN2HOSA1 Description détaillée

Numéro d'article BSM75GAR120DN2HOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Puissance - Max 235W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 400µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSM75GAR120DN2HOSA1