BSM75GAR120DN2HOSA1

BSM75GAR120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
BSM75GAR120DN2HOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2095 pcs
Precio de referencia
USD 78.533/pcs
Nuestro precio
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BSM75GAR120DN2HOSA1 Descripción detallada

Número de pieza BSM75GAR120DN2HOSA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Potencia - Max 235W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Corriente - corte de colector (máximo) 400µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 1nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module
Peso -
País de origen -

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