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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › BSM50GB120DLCHOSA1
BSM50GB120DLCHOSA1

BSM50GB120DLCHOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM50GB120DLCHOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSM50GB120DLCHOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2277 pcs
Prix ​​de référence
USD 72.28/pcs
Notre prix
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BSM50GB120DLCHOSA1 Description détaillée

Numéro d'article BSM50GB120DLCHOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 115A
Puissance - Max 460W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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