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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › BSM10GP60BOSA1
BSM10GP60BOSA1

BSM10GP60BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM10GP60BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSM10GP60BOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2247 pcs
Prix ​​de référence
USD 73.199/pcs
Notre prix
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BSM10GP60BOSA1 Description détaillée

Numéro d'article BSM10GP60BOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20A
Puissance - Max 80W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 10A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 600pF @ 25V
Contribution Three Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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