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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Modules › BSM100GAL120DLCKHOSA1
BSM100GAL120DLCKHOSA1

BSM100GAL120DLCKHOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM100GAL120DLCKHOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1930 pcs
Prix ​​de référence
USD 85.275/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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BSM100GAL120DLCKHOSA1 Description détaillée

Numéro d'article BSM100GAL120DLCKHOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Single Chopper
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 205A
Puissance - Max 835W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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