BSB012N03LX3 G

BSB012N03LX3 G - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSB012N03LX3 G
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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3956 pcs
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BSB012N03LX3 G Description détaillée

Numéro d'article BSB012N03LX3 G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 39A (Ta), 180A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 169nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16900pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / cas 3-WDSON
Poids -
Pays d'origine -

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