BSB013NE2LXIXUMA1

BSB013NE2LXIXUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSB013NE2LXIXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSB013NE2LXIXUMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
191900 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.858/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSB013NE2LXIXUMA1

BSB013NE2LXIXUMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSB013NE2LXIXUMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 36A (Ta), 163A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / cas 3-WDSON
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSB013NE2LXIXUMA1